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    BAV199SST2222AT116、MMBT2222A、MMBT2222A_R1_00001 的区别

    BAV199

    制造商:DIOTEC

    最优价格:¥0.10968

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    SST2222AT116

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.23322

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    MMBT2222A

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.08954

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    MMBT2222A_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.06608

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    ECCN编码
    反向漏电流IR5nA---
    平均整流电流215mA---
    反向峰值电压(最大值)75V---
    正向压降VF1.25V---
    反向耐压VR75V---
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reel-
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃+150℃--55℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)3µs---
    二极管配置1对串联---
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    二极管类型Standard---
    高度1.10mm1.00mm1.10mm1.00mm
    是否无铅YesYesYesYes
    品牌DiotecRohmPANJITPANJIT
    最小包装3000pcs3000pcs--
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.92 x 1.30mm
    原始制造商Diotec Semiconductor AG---
    正向压降VF Max1.25V---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    晶体管类型-NPN-NPN
    跃迁频率-300MHz--
    集射极击穿电压Vce(Max)-40V40V40V
    DC电流增益(hFE)-100-100
    Vce饱和压降-1V--
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA--
    功率耗散-350mW-225mW
    系列-Original--
    极性-NPNNPN-
    特征频率(fT)-300MHz--
    额定功率-350mW-225mW
    脚间距-2.07mm--
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)--
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-40V40V40V
    集电极电流 Ic-600mA-600mA
    元件生命周期--ActiveActive
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V-
    集电极-基极电压(VCBO)--75V-
    原产国家---China
    认证信息---RoHS, HF(Halogen Free)
    存储温度----55℃~+150℃
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