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    BAV199MMBT2222LT1G、SST2222AT116、MMBT2222A 的区别

    BAV199

    制造商:DIOTEC

    最优价格:¥0.10929

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    MMBT2222LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.14907

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    SST2222AT116

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.23322

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    MMBT2222A

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.10822

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    ECCN编码
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR5nA---
    平均整流电流215mA---
    反向峰值电压(最大值)75V---
    正向压降VF1.25V---
    反向耐压VR75V---
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    包装Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃+150℃-
    反向恢复时间(trr)3µs---
    二极管配置1对串联---
    高度1.10mm0.94mm1.00mm1.10mm
    是否无铅YesYesYesYes
    品牌Diotec-RohmPANJIT
    最小包装3000pcs-3000pcs-
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    原始制造商Diotec Semiconductor AG---
    正向压降VF Max1.25V---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    跃迁频率-250MHz300MHz-
    Vce饱和压降-400mV1V-
    晶体管类型-NPNNPN-
    集射极击穿电压Vce(Max)-30V40V40V
    DC电流增益(hFE)-100100-
    集电极电流 Ic-600mA600mA-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-1.6V@500mA,50mA40V40V
    额定功率-300mW350mW-
    特征频率(fT)-250MHz300MHz-
    功率耗散-225mW350mW-
    集电极截止电流 (Icbo)-10nA(ICBO)100nA-
    制造商标准提前期-9 周--
    系列--Original-
    极性--NPNNPN
    脚间距--2.07mm-
    元件生命周期---Active
    发射极与基极之间电压 VEBO---6V
    集电极-基极电压(VCBO)---75V
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