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    ED-GW1302S-868MAO3414、AO3420、ZXMN2A14FTA 的区别

    ED-GW1302S-868M

    制造商:EDATEC

    最优价格:¥824.12599

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    AO3414

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.26640

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    AO3420

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.53054

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    ZXMN2A14FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.62944

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    ECCN编码
    传输电流306mA---
    协议LoRa---
    调制LoRa---
    功率27dBm---
    频率863MHz~870MHz---
    工作温度0℃~+60℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    接收电流54mA---
    灵敏度-141dBi---
    射频系列/标准导航---
    安装类型mini PCIeSMTSMTSMT
    天线类型不含天线---
    串行接口SPI---
    封装/外壳模块SOT-23SOT-23SOT-23
    数据速率----
    产品状态在售---
    电流-电源3V~3.6V---
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    漏极电流-3A--
    FET功能----
    配置-单路单路单路
    Vgs(Max)-±8V±12V±12V
    阈值电压-1V@250µA1V700mV@250µA
    连续漏极电流-2.5A6A3.4A
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    系列----
    原始制造商-Alpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega SemiconductorDiodes Incorporated
    制造商标准提前期-16 周16 周10 周
    原产国家-AmericaAmerica-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    高度-1.25mm1.25mm0.98mm
    是否无铅-YesYesYes
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    元件生命周期-ActiveActive-
    品牌-AOSAOSDIODES
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-50mΩ@4.5V,4.2A24mΩ@10V,6A60mΩ@3.4A,4.5V
    额定功率-1.4W1.4W1W
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    类型-1个N沟道N沟道1个N沟道
    输入电容-436pF630pF544pF
    击穿电压-20V--
    栅极源极击穿电压-±8V±12V-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,4.5V1.8V,10V2.5V,4.5V
    反向传输电容Crss-27pF45pF@10V-
    功率耗散-1.4W1.4W1W
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    充电电量-2.9nC12.5nC-
    存储温度--55℃~+150℃--
    零件状态-ActiveActiveActive
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.30mm
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    栅极电荷(Qg)---6.6nC
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