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IPDD60R145CFD7XTMA1 与
CL05B103KA5VPNC、C1005X7R1E103KT000F、GRM155R71E103KA01D 的区别
制造商：Infineon 最优价格：￥11.45211 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Samsung 最优价格：￥0.01849 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TDK 最优价格：￥0.03602 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Murata 最优价格：￥0.00676 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 栅极电荷(Qg) | 28nC | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOP10 | 0402 | 0402 | 0402 |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±20V | - | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - | - | - |
| 阈值电压 | 4.5V | - | - | - |
| 连续漏极电流 | 24A | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | Tape/reel | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 功率耗散 | 160W | - | - | - |
| 品牌 | Infineon | Samsung | TDK | MuRata |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 145mΩ | - | - | - |
| 系列 | CoolMOS™CFD7 | CL | C | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
| 输入电容 | 1.199nF | - | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Samsung Electro-Mechanics | TDK Corporation | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 容值 | - | 10nF | 10nF | 10nF |
| 精度 | - | ±10% | ±10% | ±10% |
| 额定电压 | - | 25V | 25V | 25V |
| 等级 | - | AEC-Q200 | - | - |
| 长x宽/尺寸 | - | 1.00 x 0.50mm | 1.00 x 0.50mm | 1.00 x 0.50mm |
| 应用领域 | - | Automotive | - | Consumer |
| 温度系数Tf | - | X7R | X7R | X7R |
| 电介质 | - | X7R | X7R | X7R |
| 最小包装 | - | 4000pcs | 10000pcs | - |
| 引脚数 | - | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 高度 | - | 0.50mm | 0.50mm | 0.50mm |
| 特性 | - | - | Original | Original |
| 成分 | - | - | Ceramic | - |
| 脚间距 | - | - | 0.90mm | 0.75mm |
| 卷盘尺寸 | - | - | Φ180mm | - |
| 是否无铅 | - | - | Yes | Yes |
| 原产国家 | - | - | Japan | - |
| 元件生命周期 | - | - | Active | - |
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