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AS4C256M16D3LC-12BINTR 与
MM3Z12VBW 的区别
制造商：Alliance Memory 最优价格：￥65.51125 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TC 最优价格：￥0.06216 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 写周期时间(Tw) | 15ns | - | ||
| 工作电压（范围） | 1.45V | - | ||
| 封装/外壳 | TFBGA96 | SOD-323 | ||
| 包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 接口类型 | 并联 | - | ||
| 最大时钟频率 | 800MHz | - | ||
| 存储容量 | 4Gb | - | ||
| 存取时间 | 20ns | - | ||
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | -65℃~+150℃ | ||
| 存储器类型 | 易失 | - | ||
| 技术 | SDRAM-DDR3L | - | ||
| 存储器格式 | DRAM | - | ||
| 原始制造商 | Alliance Memory, Inc. | Tak Cheong Electronics (Group) Co., Ltd. | ||
| 品牌 | Alliance Memory | Tak Cheong | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 反向电流Izt | - | 5mA | ||
| 平均整流电流 | - | 10mA | ||
| 二极管配置 | - | 单路 | ||
| 反向耐压VR | - | 8V | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | ||
| 反向漏电流IR | - | 90nA | ||
| 正向压降VF | - | 1V | ||
| 动态电阻（最大值） | - | 25 Ohms | ||
| 功率耗散（最大值） | - | 200mW | ||
| 精度 | - | ±2% | ||
| 正向压降VF Max | - | 1V | ||
| 原产国家 | - | China | ||
| 正向电流 | - | 10mA | ||
| 标准稳压值 | - | 12V | ||
| 最小稳压值 | - | 11.76V | ||
| 稳态电流 | - | 5mA | ||
| 最大稳压值 | - | 12.24V | ||
| Zzt阻抗 | - | 141Ω | ||
| Izt-测试电流 | - | 5mA | ||
| 存储温度 | - | -65~+150℃ | ||
| Izk-稳定电流Min | - | 1mA | ||
| 长x宽/尺寸 | - | 1.70 x 1.25mm | ||
| 参考重量 | - | 4mg | ||
| 高度 | - | 0.90mm | ||
| 阻抗Typ | - | 25Ω | ||
| 引脚数 | - | 2Pin | ||
| 最小包装 | - | 3000pcs | ||
| 是否无铅 | - | Yes | ||
| 应用 | - | 汽车 | ||
| 应用等级 | - | AEC-Q101 | ||
| 容差 | - | ±2% | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
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