尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    1115-F111-P1T1-15ARHP020N06T100、ZXMN6A07ZTA 的区别

    1115-F111-P1T1-15A

    制造商:E-T-A

    最优价格:¥19.13067

    查看详情 查看数据资料

    RHP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.70060

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN6A07ZTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.73792

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    安装类型面板安装SMTSMT
    额定电流15A--
    额定电压-AC250V--
    额定电压-DC32V--
    原始制造商E-T-ARohm Co.,Ltd.Diodes Incorporated
    致动器类型Rocker--
    极数1--
    照明None--
    照明电压(标称值)---
    湿气敏感性等级 (MSL)不适用1(无限)1(无限)
    晶体管类型-N沟道N沟道
    连续漏极电流-2A2.5A
    阈值电压-2.5V3V@250µA
    包装-Tape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)-60V60V
    配置-单路单路
    FET功能---
    封装/外壳-SOT89-3SOT89-3
    工作温度-+150℃-
    Vgs(Max)-±20V±20V
    最小包装-1000pcs1000pcs
    制造商标准提前期-10 周10 周
    系列---
    功率耗散-500mW1.5W
    零件状态-ActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4V,10V4.5V,10V
    栅极源极击穿电压-±20V±20V
    输入电容-140pF166pF
    品牌-RohmDIODES
    极性-N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸-4.50 x 2.50mm4.60 x 2.60mm
    是否无铅-YesYes
    高度-1.50mm1.60mm
    充电电量-14nC-
    原产国家-JapanAmerica
    额定功率-500mW1.5W
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-200mΩ@10V,2A250mΩ@10V,1.8A
    类型-1个N沟道1个N沟道
    元件生命周期--Active
    击穿电压--60V
    引脚数--3Pin
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照