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SI4488DY-T1-E3 与
STS5N15F4 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥2.48600 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.47828 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 2V@250µA（最小） | 4V@250µA | ||
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 封装/外壳 | SOT96-1 | SOT96-1 | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 150V | 150V | ||
| 连续漏极电流 | 3.5A | 5A | ||
| 栅极电荷(Qg) | 36nC | - | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | ||
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | ||
| 额定功率 | 1.56W | 2.5W | ||
| 输入电容 | - | 2.71nF@25V | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,5A | 63mΩ@2.5A,10V | ||
| 制造商标准提前期 | 15 周 | 7 周 | ||
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | ||
| 是否无铅 | Yes | Yes | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | ||
| 功率耗散 | 1.56W | 2.5W | ||
| 系列 | TrenchFET® | DeepGATE™,STripFET™ | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
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