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    4505-440-B-12AO6408、VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别

    4505-440-B-12

    制造商:RAF

    最优价格:¥6.90475

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    AO6408

    制造商:AOS

    最优价格:

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    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    ECCN编码
    类型六角支座--1个N沟道
    颜色----
    零件状态在售过期ActiveActive
    高度12.70mm-1.10mm1.15mm
    镀层---
    原始制造商RAF Electronic Hardware-VBsemi Electronics Co. LtdDiodes Incorporated
    系列----
    板间高度12.70mm---
    长度17.48mm---
    直径-内部----
    特性----
    公母公头,母头---
    材料黄铜---
    螺钉,螺纹规格#4-40---
    直径-外部4.78mm---
    漏源电压(Vdss)-20V30V30V
    连续漏极电流-8.8A5.5A4.6A
    阈值电压-1V@250µA1.5V@250µA1V
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    安装类型-SMTSMTSMT
    FET功能----
    封装/外壳-SC74,SOT457TSOP-6SOT26
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    功率耗散-2W1.3W1.1W
    输入电容-2.2nF@10V424pF600pF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@8.8A,10V27mΩ50mΩ@10V,7.8A
    是否无铅-YesYesNo
    栅极电荷(Qg)--13nC-
    配置--单路-
    Vgs(Max)--±20V±20V
    漏极电流--6A-
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    极性--N-沟道N-沟道
    原产国家--China TaiwanAmerica
    品牌--VBsemiDIODES
    元件生命周期--ActiveActive
    最小包装--3000pcs3000pcs
    引脚数--6Pin6Pin
    长x宽/尺寸--3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    充电电量--4.2nC12.6nC
    反向传输电容Crss--42pF-
    击穿电压--30V30V
    额定功率---1.1W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---4.5V,10V
    制造商标准提前期---10 周
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