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    MMBT5551_R1_00001MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G 的区别

    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.10081

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.08800

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.07952

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    Vce饱和压降200mV200mV200mV
    DC电流增益(hFE)80@10mA,5V50250
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    跃迁频率100MHz100MHz-
    晶体管类型NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V
    品牌PANJITDIODESON
    集电极-发射极电压 VCEO160V160V160V
    原产国家China Taiwan-America
    额定功率250mW300mW225mW
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA
    元件生命周期Active-Active
    高度1.10mm1.10mm1.11mm
    特征频率(fT)100MHz300MHz-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    零件状态ActiveActiveActive
    功率耗散250mW300mW225mW
    是否无铅YesYesYes
    包装-Tape/reelTape/reel
    系列-Original-
    最小包装-3000pcs3000pcs
    集电极截止电流 (Icbo)-500nA(ICBO)100nA
    制造商标准提前期-12 周12 周
    极性-BidirectionalNPN
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)
    配置--单路
    原始制造商--ON Semiconductor Inc.
    脚间距--1.9mm
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V
    集电极-基极电压(VCBO)--180V
    印字代码--G1
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