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    SIT1552AC-JE-DCC-32.768DVB1330、CJ3400A、AO3400A 的区别

    SIT1552AC-JE-DCC-32.768D

    制造商:SiTime

    最优价格:¥7.84851

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    VB1330

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.30495

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    CJ3400A

    制造商:JSCJ

    最优价格:¥0.19271

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    AO3400A

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.25932

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    ECCN编码
    类型MEMS TCXO--1个N沟道
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸1.50 x 0.80mm3.04 x 1.40mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.60mm
    封装/外壳CSP1508_4PSOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度0℃~+70℃-55℃~+150℃(TJ)+150℃-55℃~+150℃
    供电电压1.5V~3.63V---
    主频频率32.768KHz---
    高度0.60mm1.12mm1.15mm1.25mm
    等级----
    工作电流----
    频率稳定性±5ppm---
    输出模式LVCMOS---
    控脚功能----
    连续漏极电流-5.3A5.8A5.7A
    配置-单路-单路
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    Vgs(Max)-±20V±12V±12V
    阈值电压-1.1V@250µA-1.5V@250µA
    栅极电荷(Qg)-6.7nC--
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    元件生命周期-Active-Active
    品牌-VBsemiJSCJAOS
    原产国家-China Taiwan-America
    原始制造商-VBsemi Electronics Co. Ltd-Alpha and Omega Semiconductor
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    零件状态-Active-Active
    是否无铅-Yes-Yes
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    充电电量-2.1nC-6nC
    功率耗散-1.1W400mW1.4W
    输入电容-335pF1.155nF630pF@15V
    反向传输电容Crss-17pF-50pF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-33mΩ32mΩ26.5mΩ@10V,5.7A
    击穿电压-30V-30V
    栅极源极击穿电压-±20V±12V±12V
    额定功率--400mW1.4W
    漏极电流---5.7A
    FET功能----
    系列----
    湿气敏感性等级 (MSL)---1(无限)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---2.5V,10V
    技术路线---MOSFET (Metal Oxide)
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