BSS84PH6327XTSA2 与
XL2RI-111-25M 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 阈值电压 | 2V@20µA | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SMD3225_4P | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+85℃ | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 连续漏极电流 | 170mA | - | ||
| 晶体管类型 | P沟道 | - | ||
| 包装 | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | - | ||
| 品牌 | Infineon | - | ||
| 功率耗散 | 360mW | - | ||
| 引脚数 | 3Pin | 4Pin | ||
| 制造商标准提前期 | 10 周 | - | ||
| 高度 | 1.10mm | 0.65mm | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | - | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 3.20 x 2.50mm | ||
| 输入电容 | 19pF | - | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 系列 | SIPMOS® | - | ||
| 极性 | P-沟道 | - | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||
| 年老化率 | - | ±3ppm/year | ||
| 主频频率 | - | 25MHz | ||
| 频率误差 | - | ±10ppm | ||
| 存储温度 | - | -55℃~+125℃ | ||
| 负载电容 | - | 18pF | ||
| 等效串联电阻 | - | 50Ω | ||
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