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    MP2357DJ-LF-ZVB5222、AO6604、AO6601 的区别

    MP2357DJ-LF-Z

    制造商:MPS

    最优价格:¥9.03142

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    VB5222

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    AO6604

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.58464

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    AO6601

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.60710

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    ECCN编码
    功能降压---
    输出配置Positive---
    拓扑结构降压---
    输出类型可调---
    输入电压(最小值)4.5V---
    输入电压(最大值)24V---
    输出电压810mV---
    输出电流500mA---
    开关频率1.4MHz---
    同步整流---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    内置开关管内置---
    封装/外壳TSOT-23-6TSOP-6TSOP-6SC74,SOT457
    引脚数6Pin6Pin6Pin-
    高度1.10mm1.10mm1.25mm-
    输出通道数1---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    输入电压4.5V~24V---
    是否无铅YesYesYesYes
    长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm3.05 x 1.65mm2.90 x 1.60mm-
    系列----
    漏源电压(Vdss)-20V20V30V
    晶体管类型-N沟道和P沟道互补型-N沟道和P沟道互补型
    Vgs(Max)-±20V--
    配置-单路单路-
    连续漏极电流-5.5A,3.4A3.4A,2.5A3.4A,2.3A
    包装-Tape/reelTape/reel带卷(TR) 
    栅极电荷(Qg)-3.6nC3.8nC-
    阈值电压--1V@250µA1.5V@250µA
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    充电电量----
    输入电容--260pF,560pF285pF@15V
    功率耗散-1.15W1.1W1.15W
    击穿电压-20V20V-
    栅极源极击穿电压-±20V±8V-
    极性-N-沟道,P-沟道N-沟道,P-沟道1个N沟道+1个P沟道
    零件状态-ActiveActiveActive
    品牌-VBsemiAOS-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-30mΩ,79mΩ-60毫欧@3.4A,10V
    原产国家-China TaiwanAmerica-
    原始制造商-VBsemi Electronics Co. LtdAlpha & Omega Semiconductor, Ltd-
    元件生命周期-ActiveActive-
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    FET功能--逻辑电平门逻辑电平门
    反向传输电容Crss--27pF,70pF-
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    类型--1个N沟道+1个P沟道1个N沟道+1个P沟道
    制造商标准提前期---16 周
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