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RQ3E080BNTB 与
TC-1101T-C-B-B、TC-1101T-C-B-B、TC-1101T-C-B-B 的区别
制造商：ROHM 最优价格：￥1.47430 查看详情 查看数据资料 | 制造商：XKB 最优价格：￥0.19040 查看详情 查看数据资料 | 制造商：XKB 最优价格：￥0.19040 查看详情 查看数据资料 | 制造商：XKB 最优价格：￥0.19040 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | 插件 | 插件 | 插件 |
| 连续漏极电流 | 8A | - | - | - |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Bag Packing | Bag Packing | Bag Packing |
| 阈值电压 | 2.5V@1mA | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | PowerVDFN8 | SW2_6X3.5MM_TM | SW2_6X3.5MM_TM | SW2_6X3.5MM_TM |
| 工作温度 | +150℃ | -20℃~+70℃ | -20℃~+70℃ | -20℃~+70℃ |
| 制造商标准提前期 | 10 周 | - | - | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 零件状态 | 在售 | Active | Active | Active |
| 功率耗散 | 2W | - | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | - | - | - |
| 额定功率 | 2W | - | - | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15.2毫欧@8A，10V | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15.2mΩ@8A,10V | - | - | - |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
| 输入电容 | 660pF@15V | - | - | - |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | - | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | - |
| 额定电流-DC | - | 50mA | 50mA | 50mA |
| 引脚数 | - | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 触点形式 | - | 单刀双掷 | 单刀双掷 | 单刀双掷 |
| 接触电阻 | - | 100mΩ | 100mΩ | 100mΩ |
| 额定电压-DC | - | 12V | 12V | 12V |
| 操作力 | - | 260gf | 260gf | 260gf |
| 长x宽/尺寸 | - | 6.00 x 3.50mm | 6.00 x 3.50mm | 6.00 x 3.50mm |
| 操作寿命 | - | 50万次 | 50万次 | 50万次 |
| 高度 | - | 5.00mm | 5.00mm | 5.00mm |
| 绝缘电阻 | - | 100MΩ | 100MΩ | 100MΩ |
| 开关位数 | - | 1 | 1 | 1 |
| 存储温度 | - | -30~+80℃ | -30~+80℃ | -30~+80℃ |
| 最小包装 | - | 1000pcs | 1000pcs | 1000pcs |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 原始制造商 | - | Guangdong XKB Technology Co., Ltd. | Guangdong XKB Technology Co., Ltd. | Guangdong XKB Technology Co., Ltd. |
| 原产国家 | - | China | China | China |
| 品牌 | - | XKB | XKB | XKB |
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