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SI2302CDS-T1-E3 与
SI2302CDS-T1-GE3 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 配置 | 单路 | 单路 | ||
| 连续漏极电流 | 2.6A | 2.6A | ||
| 栅极电荷(Qg) | 5.5nC | 5.5nC | ||
| 阈值电压 | 850mV@250µA | 850mV@250µA | ||
| Vgs(Max) | ±8V | ±8V | ||
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 20V | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | ||
| 高度 | 1.12mm | 1.00mm | ||
| 原产国家 | America | America | ||
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Vishay Intertechnology, Inc. | ||
| 长x宽/尺寸 | 2.92 x 1.30mm | 2.95 x 1.30mm | ||
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | ||
| 输入电容 | - | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 57mΩ@4.5V,3.6A | 57mΩ@4.5V,3.6A | ||
| 功率耗散 | 710mW | 710mW | ||
| 额定功率 | 710mW | 710mW | ||
| 充电电量 | 3.5nC | 3.5nC | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±8V | ±8V | ||
| 击穿电压 | 20V | 20V | ||
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | ||
| 元件生命周期 | Active | Active | ||
| 是否无铅 | Yes | Yes | ||
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | ||
| 系列 | TrenchFET® | TrenchFET® | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 漏极电流 | - | 2.6A | ||
| 包装 | - | Tape/reel | ||
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 2.5V，4.5V | ||
| 最小包装 | - | 3000pcs | ||
| 制造商标准提前期 | - | 19 周 | ||
| 脚间距 | - | 1.9mm | ||
| 品牌 | - | Vishay | ||
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