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142-0771-831NTR4502PT1G、DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别

142-0771-831

制造商:Cinch

最优价格:¥66.01725

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NTR4502PT1G

制造商:ON

最优价格:¥0.30317

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DMP1045U-7

制造商:DIODES

最优价格:¥0.28500

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DMP3130L-7

制造商:DIODES

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ECCN编码
FET功能----
配置-单路--
阈值电压-3V@250µA1V1.3V
连续漏极电流-1.13A4A3A
晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
漏源电压(Vdss)-30V12V30V
漏极电流-1.13A4A3.5A
封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
安装类型-SMTSMTSMT
工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
原产国家-AmericaAmericaAmerica
元件生命周期-ActiveActiveActive
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)-200毫欧@1.95A,10V31毫欧@4A,4.5V-
品牌-ONDIODESDIODES
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-200mΩ@10V,1.95A31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A
极性-P-沟道P-沟道P-沟道
额定功率-400mW800mW700mW
输入电容-200pF@15V1.357nF864pF
类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V-2.5V,10V
击穿电压-30V--
栅极源极击穿电压-±20V±8V±12V
反向传输电容Crss-50pF235pF62pF
技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
充电电量-6nC15.8nC24nC
零件状态-ActiveActiveActive
功率耗散-400mW800mW700mW
存储温度--55℃~+150℃--
系列----
长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
制造商标准提前期-20 周8 周8 周
高度-1.00mm1.00mm1.03mm
湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
引脚数-3Pin3Pin3Pin
最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
是否无铅-YesYesYes
印字代码-TR2 M= =--
原始制造商-ON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
认证信息-RoHS--
栅极电荷(Qg)--15.8nC24nC
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