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RMCF1206FT2R21 与
SI4488DY-T1-E3、STS5N15F4 的区别
制造商：SEI 最优价格：￥0.08990 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥2.48600 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.47828 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 长x宽/尺寸 | 3.20 x 1.60mm | - | - | |
| 包装 | Tape/Reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| 功率 | 250mW | - | - | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 特性 | Automotive AEC-Q200 | - | - | |
| 温度系数 | ±200ppm/℃ | - | - | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 封装/外壳 | 1206 | SOT96-1 | SOT96-1 | |
| 精度 | ±1% | - | - | |
| 品牌 | SEI | - | - | |
| 系列 | RMCF | TrenchFET® | DeepGATE™,STripFET™ | |
| 高度 | 0.70mm | - | - | |
| 电阻材料 | Thick Film | - | - | |
| 原始制造商 | Stackpole Electronics, Inc. | - | - | |
| 额定电压 | 200V | - | - | |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | |
| 引脚数 | 2Pin | - | - | |
| 阻值 | 2.21Ω | - | - | |
| Vgs(Max) | - | ±20V | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | 150V | 150V | |
| 连续漏极电流 | - | 3.5A | 5A | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 36nC | - | |
| 阈值电压 | - | 2V@250µA（最小） | 4V@250µA | |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | |
| 功率耗散 | - | 1.56W | 2.5W | |
| 零件状态 | - | Active | Active | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | - | |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | |
| 额定功率 | - | 1.56W | 2.5W | |
| 输入电容 | - | - | 2.71nF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 50mΩ@10V,5A | 63mΩ@2.5A,10V | |
| 制造商标准提前期 | - | 15 周 | 7 周 | |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
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