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DMP3099L-7 与
DMP3030SN-7、NTR4502PT1G 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥0.17500 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.84050 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.28600 查看详情 | ||
| ECCN编码 | ||||
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | |
| 栅极电荷(Qg) | 5.2nC | - | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SC59 | SOT-23 | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 阈值电压 | 2.1V | 3V@1mA | 3V@250µA | |
| 连续漏极电流 | 3.8A | 700mA | 1.13A | |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | |
| 漏极电流 | 3.8A | - | 1.13A | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm | |
| 高度 | 1.00mm | 1.40mm | 1.00mm | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | |
| 充电电量 | 5.2nC | - | 6nC | |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | |
| 品牌 | DIODES | DIODES | ON | |
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. | |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 8 周 | 20 周 | |
| 原产国家 | America | - | America | |
| 系列 | - | - | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,3.8A | 250mΩ@10V,400mA | 200mΩ@10V,1.95A | |
| 功率耗散 | 1.08W | 500mW | 400mW | |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 引脚数 | 3Pin | - | 3Pin | |
| 输入电容 | 563pF | 160pF@10V | 200pF@15V | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | |
| 额定功率 | 1.08W | 500mW | 400mW | |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | |
| 反向传输电容Crss | 41pF | - | 50pF | |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | |
| 印字代码 | - | - | TR2 M= = | |
| 认证信息 | - | - | RoHS | |
| 击穿电压 | - | - | 30V | |
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