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BC857CLT3G 与
BC857C-7-F、BC857CLT1G、BC857C_R1_00001 的区别
制造商：ON 最优价格：￥0.10329 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.17841 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.09200 查看详情 | 制造商：PANJIT 最优价格：￥0.07800 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOT23-3 | SOT23-3 | SOT-23 | SOT-23 |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.65mm |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | - | 45V | 45V |
| 晶体管类型 | - | - | PNP | PNP |
| 工作温度 | - | - | -55℃~+150℃ | -50℃~+150℃ |
| 包装 | - | - | Tape/reel | - |
| DC电流增益(hFE) | - | - | 420~800 | 420~800 |
| 跃迁频率 | - | - | 100MHz | - |
| 配置 | - | - | 单路 | - |
| Vce饱和压降 | - | - | 650mV | - |
| 极性 | - | - | PNP | - |
| 品牌 | - | - | ON | PANJIT |
| 特征频率(fT) | - | - | 100MHz | 200MHz |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | 1（无限） | - |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | - | - | 45V | - |
| 额定功率 | - | - | 300mW | 330mW |
| 原产国家 | - | - | America | China Taiwan |
| 引脚数 | - | - | 3Pin | 3Pin |
| 印字代码 | - | - | 3G | - |
| 原始制造商 | - | - | ON Semiconductor | - |
| 最小包装 | - | - | 3000pcs | - |
| 是否无铅 | - | - | Yes | Yes |
| 高度 | - | - | 1.00mm | 1.10mm |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | -50℃~+150℃ |
| 制造商标准提前期 | - | - | 8 周 | - |
| 功率耗散 | - | - | 300mW | 330mW |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | - | 5V | - |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | - | 15nA（ICBO） | - |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | - | 45V | 45V |
| 系列 | - | - | - | BC857 |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | - | 50V | - |
| 集电极电流 Ic | - | - | 100mA | 100mA |
| 零件状态 | - | - | Active | Active |
| 元件生命周期 | - | - | - | Active |
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