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    BC857CLT3GBC857C-TP、BC857C-7-F、BC857CLT1G 的区别

    BC857CLT3G

    制造商:ON

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    BC857C-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.08424

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    BC857C-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17841

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm-2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    封装/外壳SOT23-3SOT346SOT23-3SOT-23
    Vce饱和压降-650mV-650mV
    集射极击穿电压Vce(Max)-45V-45V
    晶体管类型-PNP-PNP
    工作温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    跃迁频率-200MHz-100MHz
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) -Tape/reel
    DC电流增益(hFE)-420-420~800
    制造商标准提前期-8 周-8 周
    特征频率(fT)-200MHz-100MHz
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-250mV@100mA,5mA-45V
    是否无铅-Yes-Yes
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    集电极截止电流 (Icbo)-15nA-15nA(ICBO)
    零件状态-Active-Active
    集电极电流 Ic-100mA-100mA
    系列----
    功率耗散-310mW-300mW
    额定功率-310mW-300mW
    配置---单路
    引脚数---3Pin
    原产国家---America
    印字代码---3G
    原始制造商---ON Semiconductor
    最小包装---3000pcs
    高度---1.00mm
    存储温度----55℃~+150℃
    发射极与基极之间电压 VEBO---5V
    集电极-基极电压(VCBO)---50V
    极性---PNP
    品牌---ON
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO---45V
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