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NTGD4167CT1G 与
AO6604、AO6601、AO6602 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | - |
| 晶体管类型 | N沟道和P沟道互补型 | - | N沟道和P沟道互补型 | - |
| 阈值电压 | 1.5V@250µA | 1V@250µA | 1.5V@250µA | - |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | 带卷（TR） | - |
| 栅极电荷(Qg) | 5.5nC | 3.8nC | - | - |
| FET功能 | 逻辑电平门 | 逻辑电平门 | 逻辑电平门 | - |
| 封装/外壳 | SOT23-6 | TSOP-6 | SC74,SOT457 | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 20V | 30V | - |
| 连续漏极电流 | 2.6A,1.9A | 3.4A,2.5A | 3.4A,2.3A | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | - |
| 输入电容 | 295pF | 260pF,560pF | 285pF@15V | - |
| 引脚数 | 6Pin | 6Pin | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm | - | - |
| 制造商标准提前期 | 30 周 | - | 16 周 | - |
| 高度 | 1.10mm | 1.25mm | - | - |
| 功率耗散 | 900mW | 1.1W | 1.15W | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90毫欧@2.6A，4.5V | - | 60毫欧@3.4A，10V | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 配置 | - | 单路 | - | - |
| 极性 | - | N-沟道,P-沟道 | 1个N沟道+1个P沟道 | - |
| 击穿电压 | - | 20V | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | - | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | - | - |
| 反向传输电容Crss | - | 27pF，70pF | - | - |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 原始制造商 | - | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | - | - |
| 原产国家 | - | America | - | - |
| 充电电量 | - | - | - | - |
| 元件生命周期 | - | Active | - | - |
| 类型 | - | 1个N沟道+1个P沟道 | 1个N沟道+1个P沟道 | - |
| 品牌 | - | AOS | - | - |
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