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NTGD4167CT1G 与
AO6602、FDC6327C、VB5222 的区别
制造商：ON 最优价格：￥2.41716 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥1.10000 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥1.12200 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.77970 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT23-6 | - | SOT23-6 | TSOP-6 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | 20V | 20V |
| 连续漏极电流 | 2.6A,1.9A | - | 2.7A,1.9A | 5.5A,3.4A |
| 安装类型 | SMT | - | SMT | SMT |
| 晶体管类型 | N沟道和P沟道互补型 | - | N沟道和P沟道互补型 | N沟道和P沟道互补型 |
| 阈值电压 | 1.5V@250µA | - | 1.5V@250µA | - |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel |
| 栅极电荷(Qg) | 5.5nC | - | - | 3.6nC |
| FET功能 | 逻辑电平门 | - | 逻辑电平门 | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | 1（无限） | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90毫欧@2.6A，4.5V | - | 80毫欧@2.7A，4.5V | 30mΩ,79mΩ |
| 系列 | - | - | PowerTrench® | - |
| 零件状态 | Active | - | Active | Active |
| 输入电容 | 295pF | - | 325pF@10V | - |
| 引脚数 | 6Pin | - | 6Pin | 6Pin |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.60mm | - | 2.90 x 1.60mm | 3.05 x 1.65mm |
| 制造商标准提前期 | 30 周 | - | 9 周 | - |
| 高度 | 1.10mm | - | 1.20mm | 1.10mm |
| 功率耗散 | 900mW | - | 700mW | 1.15W |
| 是否无铅 | Yes | - | Yes | Yes |
| 极性 | - | - | 1个N沟道+1个P沟道 | N-沟道,P-沟道 |
| 脚间距 | - | - | 0.95mm | - |
| 配置 | - | - | - | 单路 |
| Vgs(Max) | - | - | - | ±20V |
| 品牌 | - | - | - | VBsemi |
| 原产国家 | - | - | - | China Taiwan |
| 原始制造商 | - | - | - | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 元件生命周期 | - | - | - | Active |
| 最小包装 | - | - | - | 3000pcs |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
| 充电电量 | - | - | - | - |
| 击穿电压 | - | - | - | 20V |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | - | ±20V |
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