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QS5U12TR 与
EEEHAJ331XAP 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT23-5 | SMD,D6.3xL7.7mm | ||
| 工作温度 | +150℃ | -40℃~+105℃ | ||
| 栅极电荷(Qg) | 3.9nC | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | ||
| 连续漏极电流 | 2A | - | ||
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/Reel | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| 阈值电压 | 1.5V@1mA | - | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| FET功能 | 肖特基二极管（隔离式） | - | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | ||
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100毫欧@2A，4.5V | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@2A,4.5V | - | ||
| 额定功率 | 1.25W | - | ||
| 系列 | - | HA | ||
| 零件状态 | 在售 | Active | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 2.5V，4.5V | - | ||
| 制造商标准提前期 | 10 周 | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 功率耗散 | 1.25W | - | ||
| 输入电容 | 175pF@10V | - | ||
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | ||
| 额定电压 | - | 6.3V | ||
| 容值 | - | 330µF | ||
| 精度 | - | ±20% | ||
| 等效串联电阻 | - | - | ||
| 特性 | - | - | ||
| 等级 | - | AEC-Q200 | ||
| 纹波电流 | - | 105mA | ||
| 长x宽/尺寸 | - | Φ6.30 x 7.70mm | ||
| 高度 | - | 7.70mm | ||
| 存储温度 | - | -40℃~+105℃ | ||
| 漏泄电流 | - | 20.7µA | ||
| 耗散因数 | - | 0.30 | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 原产国家 | - | Japan | ||
| 最小包装 | - | 900pcs | ||
| 认证信息 | - | RoHS | ||
| 不同温度时的使用寿命 | - | 1000Hrs@105℃ | ||
| 品牌 | - | Panasonic | ||
| 引脚数 | - | 2Pin | ||
| 原始制造商 | - | Panasonic Corporation | ||
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