尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    PSMN4R0-60YS,115MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F 的区别

    PSMN4R0-60YS,115

    制造商:Nexperia

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07410

    查看详情 查看数据资料

    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.14634

    查看详情 查看数据资料

    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12825

    查看详情
    ECCN编码
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    FET功能----
    Vgs(Max)±20V---
    配置单路---
    连续漏极电流100A---
    阈值电压4V@1mA---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    晶体管类型N沟道NPNNPNNPN
    栅极电荷(Qg)56nC---
    包装Tape/reelTape/reel-Tape/reel
    封装/外壳SOT669SOT-23SOT-23SOT-23
    漏源电压(Vdss)60V---
    品牌NexperiaMCCPANJITDIODES
    输入电容3.501nF---
    系列-Original-Original
    极性N-沟道NPN--
    充电电量56nC---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)----
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    反向传输电容Crss240pF---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    击穿电压60V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V---
    存储温度-55℃~+175℃--55℃~+150℃-
    长x宽/尺寸5.00 x 4.10mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    功率耗散130W300mW250mW300mW
    高度1.20mm1.00mm1.10mm1.10mm
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装1500pcs3000pcs-3000pcs
    原始制造商Nexperia Electronics Co. LtdMicro Commercial Components--
    是否无铅YesYesYesYes
    原产国家NetherlandsAmericaChina Taiwan-
    跃迁频率-100MHz100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)-10080@10mA,5V50
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-500mV200mV200mV
    集电极截止电流 (Icbo)-50nA(ICBO)-500nA(ICBO)
    制造商标准提前期-8 周-12 周
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    特征频率(fT)-100MHz100MHz300MHz
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    额定功率-300mW250mW300mW
    元件生命周期-ActiveActive-
    加入购物车询价加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照