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    PSMN4R0-60YS,115MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G 的区别

    PSMN4R0-60YS,115

    制造商:Nexperia

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    包装Tape/reel-Tape/reelTape/reel
    封装/外壳SOT669SOT-23SOT-23SOT-23
    漏源电压(Vdss)60V---
    FET功能----
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    Vgs(Max)±20V---
    配置单路--单路
    连续漏极电流100A---
    阈值电压4V@1mA---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    晶体管类型N沟道NPNNPNNPN
    栅极电荷(Qg)56nC---
    最小包装1500pcs-3000pcs3000pcs
    原始制造商Nexperia Electronics Co. Ltd--ON Semiconductor Inc.
    是否无铅YesYesYesYes
    原产国家NetherlandsChina Taiwan-America
    品牌NexperiaPANJITDIODESON
    系列--Original-
    输入电容3.501nF---
    极性N-沟道--NPN
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)----
    充电电量56nC---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    反向传输电容Crss240pF---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    击穿电压60V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V---
    存储温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    长x宽/尺寸5.00 x 4.10mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    功率耗散130W250mW300mW225mW
    高度1.20mm1.10mm1.10mm1.11mm
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    DC电流增益(hFE)-80@10mA,5V50250
    跃迁频率-100MHz100MHz-
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    额定功率-250mW300mW225mW
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    元件生命周期-Active-Active
    特征频率(fT)-100MHz300MHz-
    集电极截止电流 (Icbo)--500nA(ICBO)100nA
    制造商标准提前期--12 周12 周
    脚间距---1.9mm
    发射极与基极之间电压 VEBO---6V
    集电极-基极电压(VCBO)---180V
    印字代码---G1
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