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    PSMN4R0-60YS,115MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G 的区别

    PSMN4R0-60YS,115

    制造商:Nexperia

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    FET功能----
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    Vgs(Max)±20V---
    配置单路-单路单路
    连续漏极电流100A---
    阈值电压4V@1mA---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    晶体管类型N沟道NPNNPNNPN
    栅极电荷(Qg)56nC---
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳SOT669SOT-23SOT-23SOT-23
    漏源电压(Vdss)60V---
    品牌NexperiaDIODESONON
    系列-Original--
    输入电容3.501nF---
    极性N-沟道-NPNNPN
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)----
    充电电量56nC---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    反向传输电容Crss240pF---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    击穿电压60V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V---
    存储温度-55℃~+175℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸5.00 x 4.10mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    功率耗散130W300mW225mW225mW
    高度1.20mm1.10mm1.11mm1.11mm
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装1500pcs3000pcs3000pcs10000pcs
    原始制造商Nexperia Electronics Co. Ltd-ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor
    是否无铅YesYesYesYes
    原产国家Netherlands-AmericaAmerica
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    跃迁频率-100MHz--
    DC电流增益(hFE)-5025080~250
    集电极截止电流 (Icbo)-500nA(ICBO)100nA100nA
    制造商标准提前期-12 周12 周12 周
    额定功率-300mW225mW225mW
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    特征频率(fT)-300MHz--
    脚间距--1.9mm-
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V6V
    集电极-基极电压(VCBO)--180V180V
    元件生命周期--Active-
    印字代码--G1G1
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