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PSMN4R0-60YS,115 与
MMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001 的区别
制造商：Nexperia 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.19710 查看详情 | 制造商：MCC 最优价格：￥0.07410 查看详情 查看数据资料 | 制造商：PANJIT 最优价格：￥0.14634 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 配置 | 单路 | 单路 | - | - |
| 连续漏极电流 | 100A | - | - | - |
| 阈值电压 | 4V@1mA | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 晶体管类型 | N沟道 | NPN | NPN | NPN |
| 栅极电荷(Qg) | 56nC | - | - | - |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | - |
| 封装/外壳 | SOT669 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max) | ±20V | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | - |
| 击穿电压 | 60V | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.10mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.65mm |
| 功率耗散 | 130W | 225mW | 300mW | 250mW |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 高度 | 1.20mm | 1.11mm | 1.00mm | 1.10mm |
| 引脚数 | 4Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 最小包装 | 1500pcs | 10000pcs | 3000pcs | - |
| 原始制造商 | Nexperia Electronics Co. Ltd | ON Semiconductor | Micro Commercial Components | - |
| 原产国家 | Netherlands | America | America | China Taiwan |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 品牌 | Nexperia | ON | MCC | PANJIT |
| 系列 | - | - | Original | - |
| 输入电容 | 3.501nF | - | - | - |
| 极性 | N-沟道 | NPN | NPN | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | - | - | - |
| 充电电量 | 56nC | - | - | - |
| 反向传输电容Crss | 240pF | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| DC电流增益(hFE) | - | 80~250 | 100 | 80@10mA,5V |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | 160V | 160V | 160V |
| Vce饱和压降 | - | 200mV | 500mV | 200mV |
| 跃迁频率 | - | - | 100MHz | 100MHz |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | 100nA | 50nA（ICBO） | - |
| 额定功率 | - | 225mW | 300mW | 250mW |
| 印字代码 | - | G1 | - | - |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | 180V | - | - |
| 集电极电流 Ic | - | 600mA | 600mA | 600mA |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | 160V | 160V | 160V |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | 6V | - | - |
| 制造商标准提前期 | - | 12 周 | 8 周 | - |
| 特征频率(fT) | - | - | 100MHz | 100MHz |
| 元件生命周期 | - | - | Active | Active |
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