2N7002LT1G 与
2N7002E-7-F、2V7002LT1G、2N7002-TP 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 配置 | 单路 | - | 单路 | 单路 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max) | 40V | ±20V | ±20V | - |
| 阈值电压 | 2.5V@250µA | 2.5V@250µA | 2.5V@250µA | 2.5V |
| 连续漏极电流 | 115mA | 250mA | 115mA | 115mA |
| 漏极电流 | 115mA | - | 115mA | - |
| 包装 | Tape/reel | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | Tape/reel | Tape/reel |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 60V | 60V | 60V |
| 原产国家 | America | - | America | America |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 印字代码 | 702 M= = | - | 702 M= = | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 5V,10V | 4.5V,10V | 5V,10V | 5V,10V |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ±20V | - |
| 认证信息 | RoHS | - | RoHS | - |
| 击穿电压 | 60V | - | 60V | - |
| 反向传输电容Crss | 5pF | - | 5pF | 5pF@25V |
| 功率耗散 | 225mW | 370mW | 225mW | 200mW |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | - |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 3.00 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm |
| 输入电容 | 50pF@25V | 50pF@25V | 50pF@25V | 50pF@25V |
| 高度 | 1.11mm | 1.10mm | 1.11mm | 1.12mm |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
| 最小包装 | 3000pcs | - | 3000pcs | 3000pcs |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 额定功率 | 225mW | 370mW | 225mW | 200mW |
| 元件生命周期 | Active | - | - | Active |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@10V,500mA | 3Ω@10V,250mA | 7.5Ω@10V,500mA | 1.2Ω@10V,500mA |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 品牌 | ON | DIODES | ON | MCC |
| 原始制造商 | ON Semiconductor | - | ON Semiconductor | Micro Commercial Components |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列 | - | - | Automotive,AEC-Q101 | - |
| 制造商标准提前期 | - | 12 周 | 26 周 | 8 周 |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
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