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    2N7002LT1G2N7002ET1G、2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F 的区别

    2N7002LT1G

    制造商:ON

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    ECCN编码
    漏极电流115mA---
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    漏源电压(Vdss)60V60V60V60V
    FET功能----
    配置单路单路--
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    Vgs(Max)40V±20V±20V±20V
    阈值电压2.5V@250µA2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    连续漏极电流115mA260mA170mA250mA
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs-
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    是否无铅YesYes-Yes
    额定功率225mW300mW370mW370mW
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    品牌ONONDIODESDIODES
    原始制造商ON SemiconductorON SemiconductorDiodes Incorporated-
    原产国家AmericaAmericaAmerica-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)5V,10V4.5V,10V5,10V4.5V,10V
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    印字代码702 M= =---
    栅极源极击穿电压±20V±20V±20V-
    认证信息RoHSRoHS--
    击穿电压60V60V60V-
    反向传输电容Crss5pF2.9pF--
    功率耗散225mW300mW370mW370mW
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--
    输入电容50pF@25V26.7pF50pF50pF@25V
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
    高度1.11mm1.11mm1.15mm1.10mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    栅极电荷(Qg)-0.81nC0.233nC-
    充电电量-0.81nC--
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    系列--Automotive,AEC-Q101-
    制造商标准提前期-26 周-12 周
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