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IS42S32800J-6BLI 与
CC0805CRNPO9BN1R0、0805CG1R0C500NT、TCC0805COG1R0C500BT 的区别
制造商：ISSI 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Yageo 最优价格：￥0.02834 查看详情 查看数据资料 | 制造商：FH 最优价格：￥0.03608 查看详情 查看数据资料 | 制造商：CCTC 最优价格：￥0.01835 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tray | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | TFBGA90 | 0805 | 0805 | 0805 |
| 接口类型 | 并联 | - | - | - |
| 存取时间 | 5.4ns | - | - | - |
| 工作电压（范围） | 3.6V | - | - | - |
| 存储容量 | 256Mb | - | - | - |
| 最大时钟频率 | 166MHz | - | - | - |
| 存储器类型 | 易失 | - | - | - |
| 技术 | SDRAM | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
| 品牌 | ISSI | Yageo | FH | CCTC |
| 原始制造商 | Integrated Silicon Solution, Inc. | Yageo Corporation | Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd. | Chaozhou Three-ring (Group) Co., Ltd. |
| 存储器格式 | DRAM | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.00 x 1.25mm | 2.00 x 1.25mm | 2.00 x 1.25mm |
| 脚间距 | - | 1.50mm | - | - |
| 应用领域 | - | General Purpose | Consumer | General |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | - | - |
| 容值 | - | 1pF | 1pF | 1pF |
| 精度 | - | ±0.25pF | ±0.25pF | ±0.25pF |
| 额定电压 | - | 50V | 50V | 50V |
| 成分 | - | Ceramic | Ceramic | - |
| 等级 | - | 消费级 | - | - |
| 认证信息 | - | RoHS,HF(Halogen Free) | RoHS | - |
| 存储温度 | - | -55℃~+125℃ | - | - |
| 系列 | - | CC | - | - |
| 电介质 | - | C0G(NP0) | C0G(NP0) | C0G(NP0) |
| 高度 | - | 1.25mm | 1.25mm | 0.60mm |
| 引脚数 | - | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 最小包装 | - | 4000pcs | 4000pcs | 4000pcs |
| 卷盘尺寸 | - | Φ180mm | Φ180mm | - |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 原产国家 | - | China Taiwan | China | China |
| 特性 | - | - | Original | - |
| 温度系数Tf | - | - | - | ±30ppm/℃ |
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