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    SI2301CDS-T1-GE3AO3415A、AO3419、AO3413 的区别

    SI2301CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

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    AO3415A

    制造商:AOS

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    AO3419

    制造商:AOS

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    AO3413

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    连续漏极电流3.1A5A2.8A2.4A
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    配置单路单路单路单路
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    FET功能----
    Vgs(Max)±8V±8V±12V±8V
    漏源电压(Vdss)20V20V20V20V
    漏极电流3.1A5A-3A
    阈值电压1V@250µA850mV@250µA1.4V@250μA1V@250µA
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    脚间距1.9mm-1.9mm-
    系列TrenchFET®---
    制造商标准提前期15 周16 周16 周16 周
    击穿电压20V20V-20V
    栅极源极击穿电压±8V±8V-±8V
    反向传输电容Crss55pF80pF37pF@10V70pF
    充电电量5.5nC9.3nC-11nC
    功率耗散860mW1.5W1.4W1.4W
    品牌VishayAOSAOSAOS
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm
    额定功率860mW,1.6W1.5W1.4W1.4W
    高度1.00mm1.25mm1.25mm1.25mm
    是否无铅YesYesYesYes
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)112mΩ@4.5V,2.8A45mΩ@4.5V,4A85mΩ@4.5V,3A97mΩ@4.5V,3A
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Alpha and Omega Semiconductor-Alpha and Omega Semiconductor
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    原产国家AmericaAmerica-America
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    输入电容405pF@10V940pF@10V400pF@10V540pF@10V
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,10V1.8V,4.5V
    元件生命周期ActiveActive-Active
    认证信息-RoHS--
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