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    DSEI60-10AMMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F 的区别

    DSEI60-10A

    制造商:IXYS

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    速度快速恢复=<500ns,>200mA(Io)---
    二极管类型标准---
    包装管件 Tape/reel-Tape/reel
    反向恢复时间(trr)50ns---
    反向漏电流IR3mA@1000V---
    反向耐压VR1KV---
    安装类型插件SMTSMTSMT
    封装/外壳TO-247-2SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-结-40°C~150°C---
    平均整流电流60A---
    正向压降VF2.3V---
    系列-Original-Original
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    长x宽/尺寸16.26 x 5.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    高度21.46mm1.00mm1.10mm1.10mm
    制造商标准提前期8 周8 周-12 周
    是否无铅YesYesYesYes
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-500mV200mV200mV
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    跃迁频率-100MHz100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)-10080@10mA,5V50
    极性-NPN--
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    元件生命周期-ActiveActive-
    集电极截止电流 (Icbo)-50nA(ICBO)-500nA(ICBO)
    品牌-MCCPANJITDIODES
    功率耗散-300mW250mW300mW
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    特征频率(fT)-100MHz100MHz300MHz
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    最小包装-3000pcs-3000pcs
    额定功率-300mW250mW300mW
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    原始制造商-Micro Commercial Components--
    原产国家-AmericaChina Taiwan-
    存储温度---55℃~+150℃-
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