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    DSEI60-10AMMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001 的区别

    DSEI60-10A

    制造商:IXYS

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    ECCN编码
    包装管件 Tape/reelTape/reel-
    反向恢复时间(trr)50ns---
    反向漏电流IR3mA@1000V---
    反向耐压VR1KV---
    安装类型插件SMTSMTSMT
    封装/外壳TO-247-2SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-结-40°C~150°C---
    平均整流电流60A---
    正向压降VF2.3V---
    速度快速恢复=<500ns,>200mA(Io)---
    二极管类型标准---
    是否无铅YesYesYesYes
    系列--Original-
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    长x宽/尺寸16.26 x 5.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    高度21.46mm1.11mm1.00mm1.10mm
    制造商标准提前期8 周12 周8 周-
    Vce饱和压降-200mV500mV200mV
    跃迁频率--100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)-80~25010080@10mA,5V
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    配置-单路--
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    功率耗散-225mW300mW250mW
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    最小包装-10000pcs3000pcs-
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial Components-
    原产国家-AmericaAmericaChina Taiwan
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA50nA(ICBO)-
    印字代码-G1--
    额定功率-225mW300mW250mW
    集电极-基极电压(VCBO)-180V--
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    极性-NPNNPN-
    品牌-ONMCCPANJIT
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V--
    特征频率(fT)--100MHz100MHz
    元件生命周期--ActiveActive
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