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    P6KE36CADMP3030SN-7、NTR4502PT1G、DMP1045U-7 的区别

    P6KE36CA

    制造商:ST

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.28500

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    ECCN编码
    高度3.10mm1.40mm1.00mm1.00mm
    包装剪切带(CT) ,带盒(TB) Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型插件SMTSMTSMT
    封装/外壳DO15SC59SOT-23SOT-23
    峰值脉冲电流(Ipp)62A---
    工作温度--65℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    额定电压-DC30.8V---
    长x宽/尺寸6.23 x 3.10mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    击穿电压34.2V-30V-
    结电容475pF@1MHz---
    击穿电压 -min34.2V---
    制造商标准提前期7 周8 周20 周8 周
    功率-峰值脉冲600W---
    引脚数2Pin-3Pin3Pin
    钳位电压64.3V---
    反向断态电压30.8V---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    应用通用---
    通道数1---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    电源线路保护---
    类型齐纳1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    系列P6KE,TRANSIL™---
    零件状态在售ActiveActiveActive
    连续漏极电流-700mA1.13A4A
    阈值电压-3V@1mA3V@250µA1V
    配置-单路单路-
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V12V
    FET功能----
    栅极电荷(Qg)---15.8nC
    Vgs(Max)-±20V±20V±8V
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    功率耗散-500mW400mW800mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V-
    额定功率-500mW400mW800mW
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±8V
    品牌-DIODESONDIODES
    原始制造商-Diodes IncorporatedON Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    输入电容-160pF@10V200pF@15V1.357nF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-250mΩ@10V,400mA200mΩ@10V,1.95A31mΩ@4.5V,4A
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    漏极电流--1.13A4A
    原产国家--AmericaAmerica
    元件生命周期--ActiveActive
    反向传输电容Crss--50pF235pF
    充电电量--6nC15.8nC
    存储温度---55℃~+150℃-
    印字代码--TR2 M= =-
    认证信息--RoHS-
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