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    P6KE36CADMP1045U-7、DMP3130L-7、DMP3099L-7 的区别

    P6KE36CA

    制造商:ST

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

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    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    额定电压-DC30.8V---
    长x宽/尺寸6.23 x 3.10mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    击穿电压34.2V---
    结电容475pF@1MHz---
    击穿电压 -min34.2V---
    高度3.10mm1.00mm1.03mm1.00mm
    包装剪切带(CT) ,带盒(TB) Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型插件SMTSMTSMT
    封装/外壳DO15SOT-23SOT-23SOT-23
    峰值脉冲电流(Ipp)62A---
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    应用通用---
    通道数1---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    电源线路保护---
    类型齐纳1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    系列P6KE,TRANSIL™---
    零件状态在售ActiveActiveActive
    制造商标准提前期7 周8 周8 周8 周
    功率-峰值脉冲600W---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    钳位电压64.3V---
    反向断态电压30.8V---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    漏极电流-4A3.5A3.8A
    FET功能----
    Vgs(Max)-±8V±12V±20V
    阈值电压-1V1.3V2.1V
    漏源电压(Vdss)-12V30V30V
    栅极电荷(Qg)-15.8nC24nC5.2nC
    连续漏极电流-4A3A3.8A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    功率耗散-800mW700mW1.08W
    输入电容-1.357nF864pF563pF
    额定功率-800mW700mW1.08W
    栅极源极击穿电压-±8V±12V±20V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A65mΩ@10V,3.8A
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    反向传输电容Crss-235pF62pF41pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    充电电量-15.8nC24nC5.2nC
    品牌-DIODESDIODESDIODES
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--2.5V,10V4.5V,10V
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