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    P6KE36CADMP3130L-7、DMP3099L-7、DMP3030SN-7 的区别

    P6KE36CA

    制造商:ST

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

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    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

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    ECCN编码
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-65℃~+150℃
    额定电压-DC30.8V---
    长x宽/尺寸6.23 x 3.10mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm
    击穿电压34.2V---
    结电容475pF@1MHz---
    击穿电压 -min34.2V---
    高度3.10mm1.03mm1.00mm1.40mm
    包装剪切带(CT) ,带盒(TB) Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型插件SMTSMTSMT
    封装/外壳DO15SOT-23SOT-23SC59
    峰值脉冲电流(Ipp)62A---
    应用通用---
    通道数1---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    电源线路保护---
    类型齐纳1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    系列P6KE,TRANSIL™---
    零件状态在售ActiveActiveActive
    制造商标准提前期7 周8 周8 周8 周
    功率-峰值脉冲600W---
    引脚数2Pin3Pin3Pin-
    钳位电压64.3V---
    反向断态电压30.8V---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    连续漏极电流-3A3.8A700mA
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    FET功能----
    漏极电流-3.5A3.8A-
    Vgs(Max)-±12V±20V±20V
    栅极电荷(Qg)-24nC5.2nC-
    阈值电压-1.3V2.1V3V@1mA
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    反向传输电容Crss-62pF41pF-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    元件生命周期-ActiveActive-
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    原产国家-AmericaAmerica-
    充电电量-24nC5.2nC-
    功率耗散-700mW1.08W500mW
    品牌-DIODESDIODESDIODES
    输入电容-864pF563pF160pF@10V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-77mΩ@10V,4.2A65mΩ@10V,3.8A250mΩ@10V,400mA
    额定功率-700mW1.08W500mW
    栅极源极击穿电压-±12V±20V±20V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-2.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    配置---单路
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