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    2N7002K-T1-GE3CESD5V0AP、LGSOT05CLT1G、RLST23A052V 的区别

    2N7002K-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.28474

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    CESD5V0AP

    制造商:JSCJ

    最优价格:¥0.17017

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    LGSOT05CLT1G

    制造商:LRC

    最优价格:¥0.06720

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    RLST23A052V

    制造商:RUILON

    最优价格:¥0.30789

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    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)60V---
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃+150℃(TJ)-40℃~+125℃-55℃~+125℃
    FET功能----
    Vgs(Max)±20V---
    漏极电流300mA---
    阈值电压2.5V@250µA---
    栅极电荷(Qg)0.6nC---
    连续漏极电流300mA---
    配置单路---
    晶体管类型N沟道---
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    制造商标准提前期15 周---
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm3.00 x 1.40mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    高度1.12mm1.15mm1.11mm1.12mm
    是否无铅YesYesYesYes
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    原产国家AmericaChinaChinaChina
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.JIANGSU CHANGJIANG ELEC TECH.Leshan Radio Co., Ltd.Shenzhen Ruilongyuan Electronics Co., Ltd.
    认证信息RoHS, HF(halogen free),-RoHS-
    应用Consumer---
    输入电容30pF---
    类型1个N沟道-ESDESD
    应用等级Consumer---
    额定功率350mW---
    栅极源极击穿电压±20V---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,500mA---
    功率耗散350mW---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    品牌VishayJCETLRCRuilon
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    极性N-沟道单向单向单向
    脚间距1.9mm---
    技术路线----
    击穿电压60V-6V-
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    反向传输电容Crss2.5pF---
    充电电量0.4nC---
    系列TrenchFET®---
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    峰值脉冲电流(Ipp)-13A17A10A
    额定电压-DC-5V-5V
    击穿电压 -min-6.2V6V6V
    功率-峰值脉冲-170W300W350W
    击穿电压Max-7.3V--
    反向断态电压-5V5V5V
    通道数-222
    电源电压-5V-5V
    钳位电压-13V9.8V10V
    反向漏电流 IR--5μA10μA
    结电容---220pF@1MHz
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