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SI2328DS-T1-GE3 与
SI2324DS-T1-GE3、VB1102M、AO3442 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥1.94333 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.96855 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.90965 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.50242 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 连续漏极电流 | 1.15A | 2.3A | - | 1A |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | - | Tape/reel |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | - | N沟道 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 阈值电压 | 4V@250µA | 2.9V@250µA | - | 2.3V@250µA |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT346 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 100V | - | 100V |
| 系列 | TrenchFET® | TrenchFET® | - | - |
| 功率耗散 | 730mW | 1.25W,2.5W | - | 1.4W |
| 零件状态 | Active | Active | - | Active |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | 10V | - | 4.5V，10V |
| 制造商标准提前期 | 19 周 | 19 周 | - | 16 周 |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | - | N-沟道 |
| 长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | 2.92 x 1.30mm | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.60mm |
| 高度 | 1.00mm | 1.12mm | 1.10mm | 1.25mm |
| 输入电容 | - | 190pF@50V | - | 100pF@50V |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 脚间距 | 1.9mm | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | Yes |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,1.5A | 234毫欧@1.5A，10V | - | 630mΩ@10V,1A |
| 额定功率 | 730mW | - | - | 1.4W |
| 类型 | N沟道 | - | - | 1个N沟道 |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 配置 | - | 单路 | - | 单路 |
| 最小包装 | - | 3000pcs | - | 3000pcs |
| 品牌 | - | Vishay | - | AOS |
| 元件生命周期 | - | Active | - | Active |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | - | ±20V |
| 原始制造商 | - | Vishay Intertechnology, Inc. | - | Alpha and Omega Semiconductor |
| 原产国家 | - | America | - | America |
| 漏极电流 | - | - | - | 1A |
| 击穿电压 | - | - | - | 100V |
| 反向传输电容Crss | - | - | - | 5pF |
| 充电电量 | - | - | - | 2.8nC |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
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