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SI2328DS-T1-GE3 与
FDN8601、SI2324DS-T1-GE3、VB1102M 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥1.94333 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥3.51230 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.96855 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.90965 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 阈值电压 | 4V@250µA | 4V@250µA | 2.9V@250µA | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT346 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 100V | 100V | - |
| 连续漏极电流 | 1.15A | 2.7A | 2.3A | - |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | Tape/reel | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | 6V，10V | 10V | - |
| 制造商标准提前期 | 19 周 | 12 周 | 19 周 | - |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | - |
| 长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | 2.92 x 1.40mm | 2.92 x 1.30mm | 2.90 x 1.65mm |
| 高度 | 1.00mm | 0.95mm | 1.12mm | 1.10mm |
| 输入电容 | - | 210pF@50V | 190pF@50V | - |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 脚间距 | 1.9mm | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,1.5A | 109mΩ@10V,1.5A | 234毫欧@1.5A，10V | - |
| 额定功率 | 730mW | 1.5W | - | - |
| 类型 | N沟道 | 1个N沟道 | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | - |
| 系列 | TrenchFET® | PowerTrench® | TrenchFET® | - |
| 功率耗散 | 730mW | 1.5W | 1.25W,2.5W | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | - |
| 品牌 | - | ON | Vishay | - |
| 击穿电压 | - | 100V | - | - |
| 原始制造商 | - | ON Semiconductor Inc. | Vishay Intertechnology, Inc. | - |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | - |
| 原产国家 | - | America | America | - |
| 反向传输电容Crss | - | 2.7pF | - | - |
| 充电电量 | - | 3nC | - | - |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 印字代码 | - | 8601 | - | - |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | - |
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