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    SI2328DS-T1-GE3AO3442、FDN8601、SI2324DS-T1-GE3 的区别

    SI2328DS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥1.92413

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    AO3442

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.50242

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    FDN8601

    制造商:ON

    最优价格:¥3.51230

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    SI2324DS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.96855

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    ECCN编码
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reelTape/reel
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    阈值电压4V@250µA2.3V@250µA4V@250µA2.9V@250µA
    FET功能----
    封装/外壳SOT346SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)±20V±20V±20V±20V
    漏源电压(Vdss)100V100V100V100V
    连续漏极电流1.15A1A2.7A2.3A
    系列TrenchFET®-PowerTrench®TrenchFET®
    功率耗散730mW1.4W1.5W1.25W,2.5W
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V4.5V,10V6V,10V10V
    制造商标准提前期19 周16 周12 周19 周
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm2.90 x 1.60mm2.92 x 1.40mm2.92 x 1.30mm
    高度1.00mm1.25mm0.95mm1.12mm
    输入电容-100pF@50V210pF@50V190pF@50V
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    脚间距1.9mm---
    是否无铅YesYesYesYes
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,1.5A630mΩ@10V,1A109mΩ@10V,1.5A234毫欧@1.5A,10V
    额定功率730mW1.4W1.5W-
    类型N沟道1个N沟道1个N沟道-
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    漏极电流-1A--
    配置-单路单路单路
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    品牌-AOSONVishay
    击穿电压-100V100V-
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    反向传输电容Crss-5pF2.7pF-
    充电电量-2.8nC3nC-
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    原始制造商-Alpha and Omega SemiconductorON Semiconductor Inc.Vishay Intertechnology, Inc.
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    认证信息--RoHS-
    印字代码--8601-
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