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IS61WV12816DBLL-10TLI 与
CL31B104KBCNNNC、C3216X7R1H104KT000N、CC1206KRX7R9BB104 的区别
制造商：ISSI 最优价格：￥34.06543 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Samsung 最优价格：￥0.04341 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TDK 最优价格：￥0.43438 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Yageo 最优价格：￥0.03838 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 存储容量 | 2Mb | - | - | - |
| 接口类型 | 并联 | - | - | - |
| 封装/外壳 | TSOP-44_18.415X10.16MM | 1206 | 1206 | 1206 |
| 写周期时间-字，页 | 10ns | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 3（168 小时） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 工作电压（范围） | 3V~3.6V | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 存取时间 | 10ns | - | - | - |
| 最大时钟频率 | - | - | - | - |
| 脚间距 | 0.8mm | 2.70mm | - | 2.70mm |
| 存储器类型 | 易失 | - | - | - |
| 品牌 | ISSI | Samsung | TDK | Yageo |
| 零件状态 | Active | - | Active | Active |
| 存储器格式 | SRAM | - | - | - |
| 技术 | SRAM 异步 | - | - | - |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | - | Yes | Yes |
| 原始制造商 | Integrated Silicon Solution, Inc. | - | TDK Corporation | Yageo Corporation |
| 制造商标准提前期 | 6 周 | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
| 系列 | - | CL | C | CC X7R |
| 长x宽/尺寸 | 18.41 x 10.16mm | 3.20 x 1.60mm | 3.20 x 1.60mm | 3.20 x 1.60mm |
| 高度 | 1.20mm | 1.60mm | 1.60mm | 1.15mm |
| 引脚数 | 44Pin | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 额定电压 | - | 50V | 50V | 50V |
| 容值 | - | 100nF | 100nF | 100nF |
| 特性 | - | Original | - | - |
| 等级 | - | - | - | 消费级 |
| 精度 | - | ±10% | ±10% | ±10% |
| 电介质 | - | X7R | X7R | X7R |
| 最小包装 | - | 4000pcs | 2000pcs | 4000pcs |
| 成分 | - | - | Ceramic | - |
| 温度系数Tf | - | - | ±15% | ±15% |
| 卷盘尺寸 | - | - | Φ255mm | Φ180mm |
| 元件生命周期 | - | - | Active | Active |
| 认证信息 | - | - | RoHS | RoHS,HF(Halogen Free) |
| 原产国家 | - | - | Japan | China Taiwan |
| 应用领域 | - | - | - | Mobile Phone,PCs |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+125℃ |
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