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    DMP1045U-7DMP3130L-7、DMP3099L-7 的区别

    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

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    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    漏极电流4A3.5A3.8A
    FET功能---
    Vgs(Max)±8V±12V±20V
    阈值电压1V1.3V2.1V
    漏源电压(Vdss)12V30V30V
    栅极电荷(Qg)15.8nC24nC5.2nC
    连续漏极电流4A3A3.8A
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道
    原产国家AmericaAmericaAmerica
    原始制造商Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    系列---
    元件生命周期ActiveActiveActive
    制造商标准提前期8 周8 周8 周
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    是否无铅YesYesYes
    充电电量15.8nC24nC5.2nC
    品牌DIODESDIODESDIODES
    功率耗散800mW700mW1.08W
    输入电容1.357nF864pF563pF
    额定功率800mW700mW1.08W
    栅极源极击穿电压±8V±12V±20V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A65mΩ@10V,3.8A
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    极性P-沟道P-沟道P-沟道
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    反向传输电容Crss235pF62pF41pF
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度1.00mm1.03mm1.00mm
    零件状态ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-2.5V,10V4.5V,10V
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