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    AS4C16M16SA-7TCNDMP3130L-7、DMP3099L-7、DMP3030SN-7 的区别

    AS4C16M16SA-7TCN

    制造商:Alliance Memory

    最优价格:¥24.75639

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.37968

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    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17500

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

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    ECCN编码
    湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)1(无限)1(无限)1(无限)
    包装TrayTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    接口类型并联---
    存取时间5.4ns---
    最大时钟频率143MHz---
    存储容量256Mb---
    封装/外壳TSOP54-IISOT-23SOT-23SC59
    写周期时间(Tw)14ns---
    工作电压(范围)3.6V---
    原始制造商Alliance Memory, Inc.Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    制造商标准提前期8 周8 周8 周8 周
    最小包装108pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    存储器类型易失---
    高度1.20mm1.03mm1.00mm1.40mm
    长x宽/尺寸22.22 x 10.16mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm
    存储器格式DRAM---
    技术SDRAM---
    工作温度0℃~+70℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-65℃~+150℃
    品牌Alliance MemoryDIODESDIODESDIODES
    速度143MHz---
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    FET功能----
    Vgs(Max)-±12V±20V±20V
    漏极电流-3.5A3.8A-
    栅极电荷(Qg)-24nC5.2nC-
    阈值电压-1.3V2.1V3V@1mA
    连续漏极电流-3A3.8A700mA
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    系列----
    元件生命周期-ActiveActive-
    原产国家-AmericaAmerica-
    引脚数-3Pin3Pin-
    充电电量-24nC5.2nC-
    功率耗散-700mW1.08W500mW
    输入电容-864pF563pF160pF@10V
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-77mΩ@10V,4.2A65mΩ@10V,3.8A250mΩ@10V,400mA
    额定功率-700mW1.08W500mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-2.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    栅极源极击穿电压-±12V±20V±20V
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    反向传输电容Crss-62pF41pF-
    配置---单路
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