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AS4C16M16SA-7TCN 与
DMP3099L-7、DMP3030SN-7、NTR4502PT1G 的区别
制造商：Alliance Memory 最优价格：￥24.75639 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.17500 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.84050 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.28600 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 3（168 小时） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 包装 | Tray | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 接口类型 | 并联 | - | - | - |
| 存取时间 | 5.4ns | - | - | - |
| 最大时钟频率 | 143MHz | - | - | - |
| 存储容量 | 256Mb | - | - | - |
| 封装/外壳 | TSOP54-II | SOT-23 | SC59 | SOT-23 |
| 写周期时间(Tw) | 14ns | - | - | - |
| 工作电压（范围） | 3.6V | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 8 周 | 8 周 | 20 周 |
| 最小包装 | 108pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
| 存储器类型 | 易失 | - | - | - |
| 高度 | 1.20mm | 1.00mm | 1.40mm | 1.00mm |
| 长x宽/尺寸 | 22.22 x 10.16mm | 2.90 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm |
| 存储器格式 | DRAM | - | - | - |
| 技术 | SDRAM | - | - | - |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 品牌 | Alliance Memory | DIODES | DIODES | ON |
| 速度 | 143MHz | - | - | - |
| 原始制造商 | Alliance Memory, Inc. | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 阈值电压 | - | 2.1V | 3V@1mA | 3V@250µA |
| 连续漏极电流 | - | 3.8A | 700mA | 1.13A |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 漏极电流 | - | 3.8A | - | 1.13A |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 栅极电荷(Qg) | - | 5.2nC | - | - |
| 原产国家 | - | America | - | America |
| 系列 | - | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 65mΩ@10V,3.8A | 250mΩ@10V,400mA | 200mΩ@10V,1.95A |
| 功率耗散 | - | 1.08W | 500mW | 400mW |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 引脚数 | - | 3Pin | - | 3Pin |
| 输入电容 | - | 563pF | 160pF@10V | 200pF@15V |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 额定功率 | - | 1.08W | 500mW | 400mW |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 反向传输电容Crss | - | 41pF | - | 50pF |
| 充电电量 | - | 5.2nC | - | 6nC |
| 元件生命周期 | - | Active | - | Active |
| 配置 | - | - | 单路 | 单路 |
| 印字代码 | - | - | - | TR2 M= = |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS |
| 击穿电压 | - | - | - | 30V |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
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