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AS4C16M16SA-7TCN 与
NTR4502PT1G、DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别
制造商：Alliance Memory 最优价格：￥24.75639 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.28600 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.28500 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.37968 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 写周期时间(Tw) | 14ns | - | - | - |
| 工作电压（范围） | 3.6V | - | - | - |
| 包装 | Tray | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 3（168 小时） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 接口类型 | 并联 | - | - | - |
| 存取时间 | 5.4ns | - | - | - |
| 最大时钟频率 | 143MHz | - | - | - |
| 存储容量 | 256Mb | - | - | - |
| 封装/外壳 | TSOP54-II | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 品牌 | Alliance Memory | ON | DIODES | DIODES |
| 速度 | 143MHz | - | - | - |
| 原始制造商 | Alliance Memory, Inc. | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 最小包装 | 108pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 20 周 | 8 周 | 8 周 |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
| 高度 | 1.20mm | 1.00mm | 1.00mm | 1.03mm |
| 存储器类型 | 易失 | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 22.22 x 10.16mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 技术 | SDRAM | - | - | - |
| 存储器格式 | DRAM | - | - | - |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 12V | 30V |
| 漏极电流 | - | 1.13A | 4A | 3.5A |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±8V | ±12V |
| 配置 | - | 单路 | - | - |
| 阈值电压 | - | 3V@250µA | 1V | 1.3V |
| 连续漏极电流 | - | 1.13A | 4A | 3A |
| 反向传输电容Crss | - | 50pF | 235pF | 62pF |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 充电电量 | - | 6nC | 15.8nC | 24nC |
| 功率耗散 | - | 400mW | 800mW | 700mW |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 印字代码 | - | TR2 M= = | - | - |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 原产国家 | - | America | America | America |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 200mΩ@10V,1.95A | 31mΩ@4.5V,4A | 77mΩ@10V,4.2A |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 额定功率 | - | 400mW | 800mW | 700mW |
| 输入电容 | - | 200pF@15V | 1.357nF | 864pF |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | - | 2.5V，10V |
| 击穿电压 | - | 30V | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±8V | ±12V |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 15.8nC | 24nC |
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