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    SMBT3906E6327HTSA1ZXMN2B01FTA、ZXM61N02FTA、AO3414 的区别

    SMBT3906E6327HTSA1

    制造商:Infineon

    最优价格:¥0.39712

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    ZXMN2B01FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.18304

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    ZXM61N02FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.97442

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    AO3414

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.26640

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    ECCN编码
    工作温度+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    封装/外壳SOT346SOT-23SOT-23SOT-23
    集射极击穿电压Vce(Max)40V---
    跃迁频率250MHz---
    DC电流增益(hFE)100---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reelTape/reel
    Vce饱和压降400mV---
    晶体管类型PNPN沟道N沟道N沟道
    集电极截止电流 (Icbo)50nA(ICBO)---
    是否无铅YesYesYesYes
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    集电极电流 Ic200mA---
    额定功率330mW625mW625mW1.4W
    功率耗散330mW625mW625mW1.4W
    系列----
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))400mV@50mA,5mA---
    特征频率(fT)250MHz---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    Vgs(Max)-±8V±12V±8V
    连续漏极电流-2.4A1.7A2.5A
    阈值电压-1V@250µA700mV@250µA1V@250µA
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    FET功能----
    元件生命周期-Active-Active
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedAlpha and Omega Semiconductor
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原产国家-AmericaChinaAmerica
    长x宽/尺寸-3.04 x 1.40mm3.05 x 1.40mm2.90 x 1.60mm
    高度-1.12mm1.10mm1.25mm
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-100mΩ@4.5V,2.4A180mΩ@4.5V,930mA50mΩ@4.5V,4.2A
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,4.5V2.7V,4.5V1.8V,4.5V
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    制造商标准提前期-10 周10 周16 周
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    栅极源极击穿电压-±8V±12V±8V
    击穿电压-20V20V20V
    品牌-DIODESDIODESAOS
    输入电容-370pF@10V160pF436pF
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    栅极电荷(Qg)--3.4nC-
    配置--单路单路
    充电电量--3.4nC2.9nC
    反向传输电容Crss--30pF27pF
    脚间距--1.9mm-
    漏极电流---3A
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