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SMBT3906E6327HTSA1 与
AO3414、AO3420、ZXMN2A14FTA 的区别
制造商：Infineon 最优价格：￥0.39712 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.26640 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.53054 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥1.62944 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | PNP | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 工作温度 | +150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳 | SOT346 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 40V | - | - | - |
| 跃迁频率 | 250MHz | - | - | - |
| DC电流增益(hFE) | 100 | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| Vce饱和压降 | 400mV | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 集电极截止电流 (Icbo) | 50nA（ICBO） | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 集电极电流 Ic | 200mA | - | - | - |
| 额定功率 | 330mW | 1.4W | 1.4W | 1W |
| 系列 | - | - | - | - |
| 功率耗散 | 330mW | 1.4W | 1.4W | 1W |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@50mA,5mA | - | - | - |
| 特征频率(fT) | 250MHz | - | - | - |
| 阈值电压 | - | 1V@250µA | 1V | 700mV@250µA |
| 连续漏极电流 | - | 2.5A | 6A | 3.4A |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 20V |
| 漏极电流 | - | 3A | - | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±8V | ±12V | ±12V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | ±12V | - |
| 反向传输电容Crss | - | 27pF | 45pF@10V | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 1.8V，4.5V | 1.8V，10V | 2.5V，4.5V |
| 充电电量 | - | 2.9nC | 12.5nC | - |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.30mm |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 原始制造商 | - | Alpha and Omega Semiconductor | Alpha and Omega Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | 16 周 | 10 周 |
| 原产国家 | - | America | America | - |
| 高度 | - | 1.25mm | 1.25mm | 0.98mm |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | - |
| 品牌 | - | AOS | AOS | DIODES |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 50mΩ@4.5V,4.2A | 24mΩ@10V,6A | 60mΩ@3.4A,4.5V |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 类型 | - | 1个N沟道 | N沟道 | 1个N沟道 |
| 击穿电压 | - | 20V | - | - |
| 输入电容 | - | 436pF | 630pF | 544pF |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | 6.6nC |
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