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K4B4G1646E-BYMA 与
NT5CC256M16ER-EK、MKR3256M1688MBD-107、IS43TR16256BL-125KBLI 的区别
制造商：Samsung 最优价格：￥12.17700 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nanya 最优价格：￥28.86100 查看详情 查看数据资料 | 制造商：MK 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ISSI 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | FBGA-96 | TFBGA96_8X13MM | FBGA-96 | TFBGA96 |
| 包装 | Tray | Tape/Reel | - | Tray |
| 安装类型 | SMT | SMT | - | SMT |
| 工作电压（范围） | 1.425V~1.575V | - | 1.35V | 1.45V |
| 存储容量 | 4Gb | 4Gb | 4Gb | 4Gb |
| 最大时钟频率 | 933MHz | 933MHz | - | 800MHz |
| 品牌 | Samsung | Nanya | - | ISSI |
| 存储器格式 | DRAM | - | SDRAM DDR3L | DRAM |
| 系列 | K4B4G1646E | - | - | - |
| 技术 | SDRAM-DDR3L | - | - | SDRAM-DDR3L |
| 引脚数 | 96Pin | 96Pin | - | - |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 零件状态 | Active | - | - | Active |
| 原产国家 | Korea | - | - | - |
| 原始制造商 | Samsung Electro-Mechanics | - | - | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | - | - | - |
| 最小包装 | 1120pcs | 2000pcs | - | - |
| 高度 | 1.10mm | 1.10mm | - | - |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | - | 0℃~+95℃ | -40℃~+95℃ |
| 长x宽/尺寸 | 13.30 x 7.50mm | 13.00 x 8.00mm | - | - |
| 存储温度 | -55~+100℃ | - | - | - |
| 接口类型 | - | - | - | 并联 |
| 存取时间 | - | - | - | 20ns |
| 写周期时间(Tw) | - | - | - | 15ns |
| 存储器类型 | - | - | - | 易失 |
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