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    RC0603JR-0782RLAO3420、ZXMN2A14FTA、ZXMN2B01FTA 的区别

    RC0603JR-0782RL

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.00353

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    AO3420

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.53054

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    ZXMN2A14FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.10000

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    ZXMN2B01FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.18304

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    ECCN编码
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    温度系数±100ppm/℃---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    特性----
    技术/工艺厚膜---
    精度±5%---
    封装/外壳0603SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    功率100mW---
    等级消费级---
    电阻类型厚膜电阻---
    系列RC---
    脚间距1.35mm---
    品牌YageoAOSDIODESDIODES
    卷盘尺寸Φ180mm---
    额定电压75V---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    存储温度-55℃~+155℃---55℃~+150℃
    最小包装5000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    是否无铅YesYesYesYes
    元件生命周期ActiveActive-Active
    原始制造商Yageo CorporationAlpha and Omega SemiconductorDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    原产国家China TaiwanAmerica-America
    认证信息HF(halogen free), RoHS---
    应用Consumer---
    高度0.45mm1.25mm0.98mm1.12mm
    阻值82Ω---
    FET功能----
    Vgs(Max)-±12V±12V±8V
    连续漏极电流-6A3.4A2.4A
    阈值电压-1V700mV@250µA1V@250µA
    配置-单路单路-
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    输入电容-630pF544pF370pF@10V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    额定功率-1.4W1W625mW
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    类型-N沟道1个N沟道1个N沟道
    充电电量-12.5nC--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-24mΩ@10V,6A60mΩ@3.4A,4.5V100mΩ@4.5V,2.4A
    反向传输电容Crss-45pF@10V--
    功率耗散-1.4W1W625mW
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,10V2.5V,4.5V1.8V,4.5V
    栅极源极击穿电压-±12V-±8V
    制造商标准提前期-16 周10 周10 周
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    栅极电荷(Qg)--6.6nC-
    击穿电压---20V
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