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SM8103ADC 与
FQD18N20V2TM、RCD100N20TL、STD25NF20 的区别
制造商：SILERGY 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥5.56316 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ROHM 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.67440 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 功能 | 降压型 | - | - | - |
| 同步整流 | 是 | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | TSOP23-6 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 输出电流 | 3A | - | - | - |
| 静态电流 | 250uA | - | - | - |
| 内置开关管 | 内置 | - | - | - |
| 输出电压 | - | - | - | - |
| 拓扑结构 | 降压式 | - | - | - |
| 工作电压 | 4.2V~18V | - | - | - |
| 引脚数 | 6Pin | - | - | - |
| 开关频率 | 500KHz | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | -55℃~+150℃ | +150℃ | -55℃~+175℃ |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 输入电压 | 4.2V~18V | - | - | - |
| 输出通道数 | 1 | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 3.10 x 1.70mm | - | - | - |
| 原始制造商 | Silergy Corp. | - | - | - |
| 品牌 | SILERGY | - | - | - |
| 高度 | 1.30mm | - | - | - |
| 原产国家 | China Taiwan | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | - |
| 存储温度 | -65℃~+150℃ | - | - | - |
| 导通电阻 | 90毫欧 | - | - | - |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 阈值电压 | - | 5V@250µA | 5.25V@1mA | 4V@250µA |
| 包装 | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±30V | - | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | 200V |
| 连续漏极电流 | - | 15A | 10A | 18A |
| 系列 | - | QFET® | - | STripFET™ |
| 输入电容 | - | 1.08nF@25V | 1.4nF@25V | 940pF@25V |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | - | 10V |
| 制造商标准提前期 | - | 6 周 | 17 周 | 26 周 |
| 类型 | - | 1个N沟道 | - | 1个N沟道 |
| 功率耗散 | - | 2.5W,83W | 850mW,20W | 110W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 140mΩ@7.5A,10V | 182毫欧@5A，10V | 125mΩ@10V,10A |
| 额定功率 | - | 2.5W,83W | - | 110W |
| 极性 | - | N-沟道 | - | N-沟道 |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
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