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MMBZ20VALT1G 与
MMBZ18VAL-7-F、MMBZ18VALT1G 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 峰值脉冲电流（Ipp） | 1.4A | 1.6A | 1.6A | |
| 极性 | 单向 | 单向 | 单向 | |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm | |
| 结电容 | - | - | - | |
| 高度 | 1.11mm | 1.10mm | 1.11mm | |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -65℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 击穿电压 | 19V | 17.1V | 17.1V | |
| 击穿电压 -min | 20V | - | - | |
| 额定电压-DC | 17V | 14.5V | 14.5V | |
| 击穿电压Max | 21V | 18.9V | - | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -65~+150℃ | - | |
| 电源线路保护 | 无 | 无 | 无 | |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | |
| 类型 | 齐纳 | 齐纳 | 齐纳 | |
| 原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated | - | |
| 系列 | Automotive,AEC-Q101 | - | Automotive,AEC-Q101 | |
| 原产国家 | America | America | - | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 反向断态电压 | 17V | 14.5V | 14.5V | |
| 制造商标准提前期 | 20 周 | - | 4 周 | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 功率-峰值脉冲 | 40W | 40W | 40W | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | |
| 单向通道 | 2 | 2 | 2 | |
| 通道数 | 2 | 2 | 2 | |
| 应用 | Automobile grade | 通用 | Automobile grade | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 电源电压 | 17V | - | 14.5V | |
| 钳位电压 | 28V | 25V | 25V | |
| 品牌 | Onsemi | Diodes | Onsemi | |
| 反向漏电流 IR | - | 50nA | - | |
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